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QFN和DFN封装工艺步骤:芯片切割:使用划片机等设备将芯片从硅晶圆上切割分离出来。芯片贴装:将切割下来的芯片粘贴到双框架芯片封装的基板上。引脚连接:通过引脚焊盘将芯片的电路与基板的电路进行连接。
www.kiaic.com/article/detail/5578.html 2025-04-22
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锂电池保护板(13-16串)专用MOS管KCB3008B漏源击穿电压85V,漏极电流120A;使用先进的SGT技术,极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ,最大限度地减少导通损耗,提高效率;优秀的栅极电荷xRDS(开)产品(FOM),高效稳定可靠;提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准),优...
www.kiaic.com/article/detail/5579.html 2025-04-22
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基本配置包括直流电源(Vin)、电感(L)、二极管(D)、开关器件(SW)、平滑电容(C)和负载电阻(Load),Vout 是输出电压。开关通常是功率电子器件,例如由 PWM 信号控制的 MOSFET或BJT 晶体管。该 PWM 信号通过非常快速地切换晶体管来工作,通常每秒数千次...
www.kiaic.com/article/detail/5580.html 2025-04-22
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全桥变换器的基本工作原理是直流电压Vin 经过Q1、D1~Q4、D4组成的全桥开关变换器,在高频变压器初级得到高频交流方波电压,经变压器降压,再全波整流变换成直流方波,最后通过电感L、电容C组成的滤波器,在R上得到平直的直流电压。
www.kiaic.com/article/detail/5581.html 2025-04-22
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KCY3008A场效应管漏极电流120A,漏源击穿电压为85V,采用先进的SGT技术,极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ,最大限度地减少导通损耗,提高效率;优秀的栅极电荷xRDS(开)产品(FOM),高效稳定可靠;在电机驱动器和DC/DC转换器、SR(同步整流)中能够有效地转换电...
www.kiaic.com/article/detail/5582.html 2025-04-22
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一般电阻:数值(AB)×10n=电阻值±误差值(5%)精密电阻:数值(ABC)×10n=电阻值±误差值(1%)
www.kiaic.com/article/detail/5583.html 2025-04-22
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在串联电路中,电流强度处处相等,由欧姆定律得I=U1/R1=U2/R2=U/R,即电压跟电阻成正比,电阻越大,两端电压越高,且总电压U=U1+U2,总电阻R=R1+R2。
www.kiaic.com/article/detail/5584.html 2025-04-22
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KCD9310A场效应管采用SGT MOSFET技术制造,漏源击穿电压100V,漏极电流42A;专有新型平面技术,提供优异的RDSON和栅极电荷;低导通电阻RDS(开启) 15mΩ,超低栅极电荷20nC,最小化开关损耗,提高效率;快速恢复体二极管,高效稳定、性能优越;广泛应用于UPS逆变...
www.kiaic.com/article/detail/5627.html 2025-04-22
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从上图中可以看出,补偿变压器低压侧的线圈串联在稳压器的主回路中,所以这种稳压器输出的能量主要是通过补偿变压器的低压侧线圈直接给输出负载的,只要把补偿变压器的二次线圈的线径做得足够大,稳压器的功率就可以做得很大。
www.kiaic.com/article/detail/5626.html 2025-04-22
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开关电源的工作原理是通过开关管的开关动作,将输入电压切换为高频脉冲信号。这个高频脉冲信号经过变压器或电感器的变换和滤波电路的处理,最终得到稳定的直流输出电压。
www.kiaic.com/article/detail/5625.html 2025-04-22
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KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流85A,采用改进的工艺和单元结构特别定制,低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗,提供卓越的开关性能;低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力等特性,确保性能稳定可靠;广泛应用于...
www.kiaic.com/article/detail/5433.html 2025-04-22
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逆变器专用?MOS管KNP9130B采用专有新型平面技术,漏源击穿电压300V,漏极电流40A,低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω;具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性,能够在短时间内完成导通和截止状态的转换,减少开关损耗,提高电源的转换效率;广泛应用于UPS、DC-AC逆...
www.kiaic.com/article/detail/5624.html 2025-04-22
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图中R1和R2为分压电阻,使MOS管Q2的Vgs电压固定为12V.ZD1为稳压二极管,防止输入电压波动时,Q2的Vgs电压超过限制,保护MOS管。
www.kiaic.com/article/detail/5623.html 2025-04-21
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集成电路封装是指将制备合格芯片、元件等装配到载体上,采用适当连接技术形成电气连接,安装外壳,构成有效组件的整个过程,封装主要起着安放、固定、密封、保护芯片,以及确保电路性能和热性能等作用。
www.kiaic.com/article/detail/5622.html 2025-04-21